1.
What is the BJT.
Jawab:
BJT (Bipolar Junction Transistor) merupakan salah satu jenis transistor. Transistor ini terdiri dari tiga saluran yang terbuat dari bahan semikonduktor terkotori. Dinamai dwikutub karena operasinya menyertakan baik elektron maupun lubang elektron, berlawanan dengan transistor ekakutub seperti FET yang hanya menggunakan salah satu pembawa.
BJT (Bipolar Junction Transistor) merupakan salah satu jenis transistor. Transistor ini terdiri dari tiga saluran yang terbuat dari bahan semikonduktor terkotori. Dinamai dwikutub karena operasinya menyertakan baik elektron maupun lubang elektron, berlawanan dengan transistor ekakutub seperti FET yang hanya menggunakan salah satu pembawa.
2.
What is the type of BJT.
Jawab: BJT tipe NPN dan BJT tipe PNP.
3.
What is the differences between npn and pnp
transistor.
Jawab: Pada NPN,
transistor akan hidup jika arus pada kaki basis lebih besar dari kaki emitor.
Sedangkan pada PNP, transistor akan hidup jika arus pada kaki basis lebih
rendah dari kaki emitor.
4.
What are the input and output characteristic
Jawab:
Karakteristik input dan output transistor menentukan daerah-daerah dimana
transistor masih dapat bekerja. Karakteristik input dan output berkaitan dengan
kurva.
5.
What are the three region of operation for BJT.
Jawab:
1. Daerah aktif
1. Daerah aktif
Pertemuan emitor-basis dibias
maju (forward bias) dan junction basis-kolektor dibias mundur (reverse bias).
Dalam keadaan ini arus kolektor-emitor beberapa kali lipat lebih besar dari
arus basis.
2. Daerah saturasi
Junction basis-emitor dibias
maju (forward bias) dan junction kolektor-basis dibias maju juga (forward
bias). Daerah saturasi adalah mulai dari Vce = 0 volt sampai kira-kira 0.7 volt
(transistor silikon). Ini diakibatkan oleh efek p-n junction kolektor-basis
yang membutuhkan tegangan yang cukup agar mampu mengalirkan elektron sama
seperti dioda.
3. Daerah Cut-off
Junction emitor-basis diberi
bias mundur (reverse bias) dan junction kolektor-basis diberi bias mundur juga
(reverse bias). Pada kondisi cut-off, transistor menjadi “fully-OFF”, Ic = 0.
Dimana Vce masih cukup kecil sehingga arus Ic = 0 atau Ib = 0. Transistor dalam
kondisi off.
4. Daerah
Breakdown
Junction emitor-basis diberi
bias mundur(reverse bias) sedangkan junction kolektor-basis diberi bias maju
(forward bias). Dari kurva kolektor, terlihat jika tegangan Vce lebih dari 40
V, arus Ic menanjak naik dengan cepat. Transistor pada daerah ini disebut
berada pada daerah breakdown. Seharusnya transistor tidak boleh bekerja pada
daerah ini, karena akan dapat merusak transistor tersebut. Untuk berbagai jenis
transistor nilai tegangan Vce max yang diperbolehkan sebelum breakdown
bervariasi.
6.
What is the beta of BJT.
Jawab: Beta
adalah parameter yang menunjukkan kemampuan penguatan arus (current gain) dari
suatu transistor. Beta didefinisikan sebagai besar perbandingan antara arus
kolektor dengan arus basis.
7.
What is the differences between beta and beta
force.
Jawab: Yang
membedakan beta dan beta force ialah pada beta force digunakan arus kolektor
pada saat transistor dalam keadaan saturasi sedangkan beta menggunakan arus
kolektor tidak pada keadaan saturasi.
8.
What is the transductance of BJT.
Jawab:
Transduktansi pada BJT (gm) merupakan perubahan pada arus kolektor dibagi
dengan perubahan tegangan antara basis-emitor (Vbe).
9.
What is ODF.
Jawab: Overdrive
Factor (ODF) adalah rasio perbandingan arus basis dengan arus pada kondisi
saturasi.
10.
What is the switching mode.
Jawab:
transistor dapat berfungsi sebagai switching (on/off). Untuk menghasilkan
kondisi seperti saklar, transistor dioperasikan pada salah satu titik kerjanya,
titik saturasi dan cut-off. Transistor akan aktif apabila diberikan arus pada
basis Ib = Ib(saturasi). Saat kondisi saturasi, transistor seperti sebuah
saklar yang tertutup (on) sehingga arus dapat mengalir dari kolektor menuju
emitor. Sedangkan saat kondisi cut-off, transistor seperti sebuah saklar
terbuka (off) sehingga tidak ada arus yang mengalir dari kolektor ke emitor.
11.
What is MOSFET.
Jawab: Mosfet
(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) merupakan sejenis
transistor yang digunakan sebagai penguat, tapi paling sering transistor jenis
ini difungsikan sebagai saklar elektronik.
12.
What is the types of MOSFET.
Jawab: mosfet
tipe N (nMos) dan mosfet tipe P (pMos).
13.
What is the switching model of n channel mosfet.
Jawab: Topologi N channel mosfet memiliki performansi
yang lebih baik dibanding P channel pada bagian high side switch tetapi gate
drivenya lebih sulit. Topologi N channel biasa digunakan pada aplikasi tegangan
tinggi atau daya tinggi.
14.
What are the problem of parallel MOSFET.
Jawab: Permasalahan
parallel mosfet adalah tidak bisa dipasang resistor pembagi, arus dinamik
penyeimbang trafo atau feedback aktif ke driver. Hal ini mengakibatkan Mosfet yang
dihasilkan tidak sesuai dengan level pada desain driver atau rangkaian power.
15.
What are advantages and disadvantages of MOSFET.
Jawab:
Advantages:
1. Ukuran mosfet lebih kecil dibandingkan BJT. Jadi proses pembuatannya sangat mudah dan memberi ruang yang kecil pada IC.
Advantages:
1. Ukuran mosfet lebih kecil dibandingkan BJT. Jadi proses pembuatannya sangat mudah dan memberi ruang yang kecil pada IC.
2. Impedansi
input Mosfet sangat besar sehingga tidak memberi beban pada rangkaian dan efek
dari beban juga tidak muncul.
3. Frekuensi
operasi sangat tinggi sehingga dapat digunakan pada rangkaian frekuensi tinggi.
4. Dapat
digunakan pada rangkaian digital.
5. Efek dari
noise sangatlah kecil dibandingkan pada BJT sehingga perbandingan Signal to
Noise sangat besar.
6. Mosfet adalah
rangkaian unipolar sehingga arus balik saturasi tidak ada.
7. Membutuhkan
power DC yang lebih sedikit dibandingkan BJT.
Disadvantages:
-Mosfet sangat sensistif pada muatan elektrostatik sehingga hal ini akan merusak transistor ketika kita menyentuh mosfet dengan menggunakan tangan.
-Transkonduktansi mosfet lebih rendah dibandingkan BJT
-Mosfet sangat sensistif pada muatan elektrostatik sehingga hal ini akan merusak transistor ketika kita menyentuh mosfet dengan menggunakan tangan.
-Transkonduktansi mosfet lebih rendah dibandingkan BJT
16.
What is IGBT.
Jawab: IGBT
(Insulated Gate Bipolar Transistor) adalah transistor 3 terminal pada perangkat
semikonduktor daya yang biasanya digunakan sebagai switch elektronik dan
merupakan perangkat baru yang mengkombinasikan frekuensi tinggi dan switching
yang cepat.
17.
What are the purpose of shunt and series snubber
in transistor.
Jawab: Shunt dan
series snubber digunakan pada transistor daya untuk menjaga operasi kerja
perangkat pada kondisi Safe Operating Area (SOA).
0 comment:
Posting Komentar